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    XGZP0703
    0703-01
    Nah dran

    Absolutdrucksensor Die XGZP0703

    • Bereiche: 0～100 kPa…2000 kPa(0～15 psi…300 psi)
    • Piezoresistive MEMS-Technologie
    • Silizium-Silizium,Fester Zustand,Hohe Zuverlässigkeit
    • Absoluter Druck, Erregt durch Spannung oder Strom
    • Miniaturgröße,Kosteneffizient
    XGZP2004
    2004-3
    Nah dran

    Piezoresistiver Silizium-Sensorwafer XGZP2004

    • Bereiche: 0kPa～10kPa…700kPa(0PSI～0,15 PSI…100 PSI)
    • Piezoresistive MEMS-Technologie
    • Fester Zustand,Hohe Zuverlässigkeit
    • Manometerdruck, Erregt durch Spannung oder Strom.
    • Kosteneffizient
    XGZP2406
    2406-01
    Nah dran

    SOI Industrieller Drucksensor Die XGZP2406

    • Bereiche: 0~3MPa
    • Piezoresistive MEMS-Technologie
    • SOI-Struktur, Hitzebeständig
    • Fester Zustand, Hohe Zuverlässigkeit
    • Absolut, Gage, Differentialtyp
    • Leistung auf Branchenniveau
    XGZP2604
    2604-2
    Nah dran

    Niederdrucksensor Die XGZP2604

    • Bereiche: 0kPa～1kPa…1000kPa(0～0,15 PSI…150 PSI)
    • Piezoresistive MEMS-Technologie
    • Fester Zustand,Hohe Zuverlässigkeit
    • Manometerdruck, Erregt durch Spannung oder Strom.
    • Kosteneffizient
    XGZT1104
    Nah dran

    Thermopile-Sensorchip XGZT1104

    • MEMS-Technologie
    • Seebeck-Effekt
    • Hohe Empfindlichkeit
    • Hohe Zuverlässigkeit
    XGZF9304
    Nah dran

    Gasdurchflusssensor-Matrize XGZF9304

    • Thermodynamisches Prinzip
    • MEMS-Technologie
    • Hohe Empfindlichkeit, besonders für geringen Durchfluss
    • Geringe Offset-Drift und hohe Reaktion
    • Beständig gegen Vibrationen, Druck und Thermoschock
    1704-01
    Nah dran

    MEMS -Drucksensor sterben xgzp1704

    • Bereiche: 0kPa～40kPa…200kPa
    • Piezoresistive MEMS-Technologie
    • Absolut,Messgerät,Erregt durch Spannung oder Strom
    • Fester Zustand,Hohe Zuverlässigkeit
    • Kosteneffizient